14 – Si – Silicium
 |
Hochreines Silizium wie zur IC-Fertigung. Menge: 0.3 g. |
| Physikalische und chemische Daten | |
|---|---|
| Massenzahl | 28.0855 |
| Dichte | 2.33 g·cm-3 |
| Schmelzpunkt | 1410 °C |
| Siedepunkt | 2355 °C |
| Häufigkeit | 25.8 % |
| Elektronegativität | 1.7 |
| Oxydationsstufen | [4], -4 |
| Elektronenkonfiguration | [Ne]3s2 3p2 |
| H | He | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Li | Be | B | C | N | O | F | Ne | ||||||||||||||||||||||||
| Na | Mg | Al | Si | P | S | Cl | Ar | ||||||||||||||||||||||||
| K | Ca | Sc | Ti | V | Cr | Mn | Fe | Co | Ni | Cu | Zn | Ga | Ge | As | Se | Br | Kr | ||||||||||||||
| Rb | Sr | Y | Zr | Nb | Mo | Tc | Ru | Rh | Pd | Ag | Cd | In | Sn | Sb | Te | I | Xe | ||||||||||||||
| Cs | Ba | La | Ce | Pr | Nd | Pm | Sm | Eu | Gd | Tb | Dy | Ho | Er | Tm | Yb | Lu | Hf | Ta | W | Re | Os | Ir | Pt | Au | Hg | Tl | Pb | Bi | Po | At | Rn |
| Fr | Ra | Ac | Th | Pa | U | Np | Pu | Am | Cm | ||||||||||||||||||||||